某大型半导体企业采用 3M™ Liqui-Ce™ 气体转移膜，用于高纯氮气、氧气的现场净化，核心去除气体中的水分

 

3M™ Liqui-Ce™ 气体转移膜案例 1：高纯气体净化

某大型半导体企业采用 3M™ Liqui-Ce™ 气体转移膜，用于高纯氮气、氧气的现场净化，核心去除气体中的水分、油雾、颗粒物杂质，确保气体纯度满足半导体晶圆加工的高纯度要求，提升芯片生产良率。安装时将 3M™ Liqui-Ce™ 气体转移膜组件集成于制氮、制氧设备中，采用密封式膜壳设计，确保压缩空气与膜组件充分接触，无旁通泄漏；运行中控制进气压力 0.6-0.8MPa，温度 20-35℃，压缩空气经前置过滤（除水、除油、除颗粒）后进入膜组件，通过膜的选择性渗透实现氧氮分离与杂质去除。3M™ Liqui-Ce™ 气体转移膜采用聚酰亚胺复合膜材质，具有优异的气体分离性能，氮气分离纯度可达 99.999%，油雾去除至 0.01ppm 以下，水分去除至露点≤-70℃，膜通量稳定抗污染能力强。应用后，半导体生产用高纯气体纯度达标率 100%，晶圆加工过程中的气体污染缺陷率降低 90%，芯片良率提升至 99.5% 以上，3M™ Liqui-Ce™ 气体转移膜组件使用寿命达 3 年，无需频繁更换，大幅降低了高纯气体的采购与维护成本。